June 11, 2025
最近,DRAM3/4市場は急激な変化を経験し,不足と価格上昇の緊張状態に陥っています.SK Hynixは,DDR3とDDR4の販売を段階的に中止する予定ですこの決定により,市場におけるDDR3/4の供給が急激に減少し,即日市場価格が急上昇した.私たちの会社は,市場洞察力のある DDR3/4 の一団を事前に予約しました.
次のDDRモデルが本格的な品質保証で在庫です
| DDR3/4 | ||||||
 製品名 |
製品モード | 仕様 | コード | ブランド | 量 | 倉庫 |
| DDR3L 256MB16 | A3T4GF40BBF-HP | DDR3L 4Gb16 1866 | 6643〜107 | PG/ZENTEL | 46670 | シェンゼン |
| DDR3L 256MB16 | A3T4GF40BBF-HP | DDR3L 4Gb16 1866 | 6643〜107 | PG/ZENTEL | 938410 | 香港 |
| DDR4 512MB16 | A3F8GH40BBF-KDPR | DDR4 8Gb16 2666 | 7634-075 | PG/ZENTEL | 14210 | シェンゼン |
| DDR4 512MB16 | A3F8GH40BBF-KDPR | DDR4 8Gb16 2666 | 7634-075 | PG/ZENTEL | 238260 | 香港 |
| 8Gb ((DDR) 256M x32 | NT2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2 | LPDDR4-3733 | PG/ナニア | 35K | ||
| 8Gb DDR4 SDRAM 仕様 | |
| • 電源 -VDD = VDDQ= 1.2Vほら5%
-VPP= 2.5V 5% + 10% • データレート- 3200 Mbps (DDR4-3200) - 2933 Mbps (DDR4-2933) - 2666 Mbps (DDR4-2666) - 2400 Mbps (DDR4-2400) - 2133 Mbps (DDR4-2133) - 1866 Mbps (DDR4-1866) - 1600 Mbps (DDR4-1600) • パッケージ - 96ボール FBGA (A3F8GH40BBF) - 鉛のない • 8つの内部銀行2つの4つの銀行からなるグループ (x16) • 差点クロック入力操作 (CK_t と CK_c) 双方向差分データストロブ (DQS_tとDQS_c) • アシンクロンリセットがサポートされています (RESET_n) • 出力ドライバーのZQ校正は, 外部基準抵抗 (RZQ 240オームほら1%) •名目,駐車場,ダイナミックオン・ダイ・ターミネーション (ODT)• DLL は DQ と DQS の移行を CK の移行と一致させる • ポジティブな CK エッジごとに入力されたコマンド • CAS 遅延 (CL): 13, 15, 17, 19, 21, 22 がサポートされています 追加遅延 (AL) 0,CL-1,CL-2 がサポートされています. • 爆発長 (BL): 8 と 4 機内サポート • CAS 書き込み遅延 (CWL): 9, 10, 11, 12, 14, 16, 18, 支援された20 • 操作ケースの温度範囲 TC = 0ほらCから+95までほらC (商用品)
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• 更新 サイクル 7.8ほらs は 0 でほらC についてほらTCほら+85ほらC について
3.9ほらs +85 でほらC < TCほら+95ほらC について
微粒度リフレッシュがサポートされています. 調整可能な内部発電機 VREFDQ • データ入力/出力のための偽オープンドレイン (POD) インターフェース • MRS によって選択された駆動強度 • 8 ビットプリフェッチによる高速データ転送 温度制御リフレッシュ (TCR) モードがサポートされています. 低出力自動自己更新 (LPASR) モードがサポートされています. 自動リフレッシュ中止がサポートされています. • プログラム可能な序文がサポートされています • 書き直し がサポートされています. • コマンド/アドレス遅延 (CAL) がサポートされています • 多目的レジスタル (Multi-purpose register) の読み書き能力 • コマンド アドレス パリティ (CA パリティ) コマンドアドレス信号のエラーを検出し,それを通知します. コントローラーへ • DQ エラーに対してサイクル冗長コード (CRC) を書く. 高速で制御機に検出し知らせる 操作 • 電力向上のためにデータバス逆転 (DBI) メモリーの消費と信号の整合性 インターフェース • 書き込みデータのためのデータマスク (DM) • 各DRAMのDRAMアドレス (PDA) 異なるモードのレジスタ値を設定することができます 個別調整が可能です. ダウンモード (1/2 と 1/4 速さ) がサポートされています. • hPPR と sPPR がサポートされています 接続性テスト (x16のみ) 最低の電力の最大オフモード 内部リフレッシュ活動なしの消費 • JEDEC JESD-79-4 に準拠する |
| 4Gb DDR3/DDR3L SDRAMの仕様 | |
| 仕様 | 特徴 |
| 密度: 4G ビット • 組織 8つの銀行 x 64Mの単語 x 8ビット 8つの銀行 x 32Mの単語 x 16ビット • パッケージ 78ボール FBGA o 96ボールの FBGA 電力供給: -HPさん o VDD,VDDQ = 1.35 V (1.283 から 1.45 V) o DDR3 操作と後方対応 VDD,VDDQ = 1.5 V (1.425 から 1.575 V) -JR o VDD,VDDQ = 1.5 V (1.425 から 1.575 V) -JRL o VDD,VDDQ = 1.35 V (1.283 から 1.45 V) • データ速さ:1866 Mbps/2133 Mbps (最大) • 1KB のページサイズ (x8) o 行の住所:AX0からAX15 o 列の住所: AY0 から AY9 • 2KB のページサイズ (x16) o 行の住所:AX0からAX14 o 列の住所: AY0 から AY9 • 同期運用のための8つの内部銀行 •バースト長さ (BL):バーストチョップ (BC) で8と4 • 爆発型 (BT) o 連続 (8, BC と 4 と) o インターリーブ (8, 4 と BC) • CAS 遅延 (CL): 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 13, 14 • CAS 書き込み遅延 (CWL): 5, 6, 7, 8, 9, 10 • 前充電:毎回の爆発で自動前充電オプション アクセス ドライバ強度:RZQ/7,RZQ/6 (RZQ = 240 Ω) • リフレッシュ:自動リフレッシュ,自動リフレッシュ • 更新 期間 平均 TC ≤ +85°C で 7.8 度 TC > +85°C で 3.9 度 • 動作温度範囲 o TC = 0°C から +95°C (商用級) o TC = -40°C から +95°C (工業用) o TC = -40°Cから+105°C (自動車用2級) |
• 高速データ転送は8 ビットプレフェッチパイプラインアーキテクチャ • 2 つのデータ転送 時計周期ごとに 双方向差分データストロブ (DQS と /DQS) が送信/受信され, 受信機でデータを記録する • DQS は, READ のデータと縁を並べています. WRITE のデータと一致する • 差点クロック入力 (CK と /CK) • DLL は DQ と DQS の移行を CK と一致させる トランジション • 各正のCK辺に入力されたコマンド; DQS の両端に参照されたデータマスク • 書き込みデータのためのデータマスク (DM) プログラム可能な添加物遅延によって CAS を投稿 コマンドとデータバス効率の向上 • 信号の質を向上させるオン・ダイ・ターミネーション (ODT) シンクロン ODT ダイナミックODT オーダーメイド・ODT (非同期ODT) • 前もって定義されたための多目的登録 (MPR) パターン読み込み • DQドライブとODTのためのZQ校正 • プログラム可能な部分配列自己更新 (PASR) • パワーアップ シーケンス と リセット の RESET ピン 機能 SRT (自己更新温度) の範囲: 標準/拡張 • 自動 更新 (ASR) • プログラム可能な出力ドライバインペダンス制御 • JEDEC に準拠する DDR3/DDR3L ロー・ハンマーフリー (RHフリー):検出/ブロック 内部回路 |
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